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Especificaciones
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Altura | 3.9 mm |
| Profundidad | 80 mm |
| Ancho | 22 mm |
| Otras características | |
|---|---|
| Productos compatibles | ThinkSystem |
| Control de energía | |
|---|---|
| Consumo de energía (lectura) | 2.5 W |
| Consumo de energía (escritura) | 3.1 W |
| Condiciones ambientales | |
|---|---|
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
| Golpe (fuera de operación) | 1500 G |
| Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95% |
| Características | |
|---|---|
| Lectura aleatoria (4KB) | 95000 IOPS |
| Hot-swap |
|
| Componente para | servidor/estación de trabajo |
| Certificación | Micron Green Standard Built with sulfur resistant resistors CE (Europe): EN 55032 Class B, RoHS UKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHS FCC: CFR Title 47, Part 15 Class B UL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edi |
| Velocidad de escritura | 520 MB/s |
| Tiempo medio entre fallos | 3000000 h |
| Compatible con NVM Express (NVMe) |
|
| Latencia (de escritura) | 42 µs |
| Soporte S.M.A.R.T. |
|
| Escritura aleatoria (4KB) | 37000 IOPS |
| Tipo de memoria | 3D TLC NAND |
| Factor de forma | M.2 |
| Interfaz | SATA III |
| Velocidad de lectura | 540MB/s |
| Latencia (de lectura) | 170 µs |
| Capacidad | 480GB |
Acerca del Fabricante
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